삼성은 TSMC와 협력하여 엔비디아 메모리 칩을 생산할 예정이다

삼성전자는 TSMC의 3나노 공정을 채택하여 엔비디아의 차세대 맞춤형 HBM 칩 베이스 다이(die)를 생산할 예정이다. 이는 삼성의 HBM 제조 단계에서 TSMC와 협력하는 첫 번째 사례이다.

엔비디아는 삼성, SK 하이닉스, 마이크론 테크놀로지가 TSMC 공정을 사용하여 NVHBM 베이스 다이를 제조하고 6세대 DRAM 기술을 사용할 것을 요구했다. 삼성은 표준 HBM 및 기타 고객의 맞춤형 제품을 계속해서 자주 생산할 계획이다.