삼성전자 2027년 초에 3D Cube-H 개발을 완료할 계획입니다

삼성전자는 2027년 초에 고급 패키징 기술 3D Cube-H의 개발을 완료하고 첫 번째 디자인 키트를 완성한 후 잠재 고객과 평가를 시작할 계획입니다. 이 기술은 혼합 접합을 기반으로 칩의 수직 적층을 구현하며, 주로 고성능 AI 반도체를 목표로 하고, GPU와 같은 논리 칩을 적층하거나 HBM과 같은 저장 칩에 논리 칩을 통합하는 데 사용될 수 있습니다.

삼성전자는 이전에 열압 접합 기술을 사용한 3D Cube-T를 개발했으며, 현재 약 6마이크론의 단자 간격을 가진 3D Cube-H를 추진하고 있습니다. 열압 접합 칩의 최소 단자 간격은 약 25마이크론입니다. 혼합 접합은 칩 간의 구리 재료를 직접 연결하여 단자 간격을 줄이고 연결 밀도를 높이며 비트당 에너지 소비를 줄일 수 있으며, 열압 접합 솔루션과는 다른 열 방출 특성을 가지고 있습니다.